架构:Seymour
生产工艺:40nm
芯片面:67mm²
发布日期:2011年1月
晶体管数量:370M
光栅/纹理:4 / 8
渲染器数量:160 Unified
像素填充率:3.2 GPixel/s
纹理填充率:6.4 GPixel/s
显存容量:1024MB GDDR3
显存位宽:64 bit
显存带宽:12.8 GB/s
核心频率:800 MHz
显存频率:1600 MHz

架构:Seymour
生产工艺:40nm
芯片面:67mm²
发布日期:2011年1月
晶体管数量:370M
光栅/纹理:4 / 8
渲染器数量:160 Unified
像素填充率:3.2 GPixel/s
纹理填充率:6.4 GPixel/s
显存容量:1024MB GDDR3
显存位宽:64 bit
显存带宽:12.8 GB/s
核心频率:800 MHz
显存频率:1600 MHz
